研究人员确定了防止辐射后认知能力下降的途径

罗彻斯特大学德尔蒙特神经科学研究所的研究人员发现，小胶质细胞——大脑的免疫细胞——可以在辐射暴露后引发认知缺陷，可能是预防这些症状的关键目标。今天发表在《国际放射肿瘤学生物学生物物理学杂志》上的这些发现，是建立在先前的研究基础上的，该研究表明，在辐射暴露后，小胶质细胞会损害突触，而突触是神经元之间的连接，对认知行为和记忆很重要。

神经科学教授、威尔莫特癌症研究所成员、该研究的资深作者M. Kerry O 'Banion说：“放射治疗后的认知缺陷是癌症幸存者面临的一个主要问题，这项研究为我们提供了一个可能的目标，即开发治疗方法，以预防或减轻需要脑部放疗的人的这种缺陷。”

通过几项行为测试，研究人员调查了辐射暴露前后小鼠的认知功能。雌性小鼠在整个过程中表现相同，表明它们对辐射损伤具有抵抗力。然而，研究人员发现，在辐射暴露后，雄性小鼠无法记忆或执行某些任务。这种认知能力下降与突触的丧失和治疗后潜在的破坏性小胶质细胞过度反应有关。

然后，研究人员瞄准了小胶质细胞中对突触移除很重要的通路。具有这些突变小胶质细胞的小鼠在放射后没有认知能力下降。而另一些在放射治疗期间服用了白细胞粘附素-1的患者，也没有出现认知能力下降的情况。白细胞粘附素-1被认为可以阻断这条通路。

O 'Banion说:“这可能是大幅改善患者生活质量和需要更多护理的第一步。展望未来，我们特别感兴趣的是了解去除突触的目标信号以及驱动小胶质细胞去除这些突触的基本信号机制。我们相信，这两种研究途径都为开发治疗方法提供了额外的目标，以帮助接受脑部放疗的个体。”

O 'Banion还认为，这项工作可能具有更广泛的意义，因为其中一些机制与阿尔茨海默氏症和其他神经退行性疾病有关。

其他作者包括第一作者Joshua Hinkle博士，国家药物滥用研究所的博士后，O 'Banion-Olschowka实验室的前研究生，John Olschowka博士和罗切斯特大学医学中心的Jacqueline Williams博士。这项研究得到了美国国立卫生研究院和美国国家航空航天局的支持。